将化学机械抛光技术（ChemicalMechanicalPolishing，CMP）引入到镁合金片的抛光中，以硅溶胶、表面活性剂、螯合剂及pH调节剂为原料，以涡流搅拌的方法制备镁合金（AZ91D）抛光液。采用单因素法分析抛光过程中压力、转速、抛光液流量及抛光时间等参数对抛光效果的影响。实验结果表明：在压力为0．06MPa，抛光盘上盘转速为10r／min、下盘转速为50r／min，抛光液流量为160mL／min，抛光时间为8min的条件下，镁合金表面形貌良好；在此工艺条件下经过化学机械抛光后，镁合金表面粗糙度Ro能达到10nm。