用直流磁控溅射法在玻璃基片上先沉积TiO2缓冲层，再用直流/ 射频反应磁控共溅射法制备掺钨VOX 薄膜，然后在氮气中退火。用X 射线衍射、原子力显微镜、紫外可见光分光光度计、红外光谱仪等对薄膜的结构、表面形貌、光透过率等进行测试分析。结果表明：在溅射气压为1 Pa，氧氩气体比例为1：4，Ti 靶采用100 W 直流电源时，所制备的TiO2
缓冲层上的掺钨VOX薄膜致密，晶粒大小均匀。掺钨VOX薄膜样品的相变温度降低至35℃，可见光透过率较高，对红外光的屏蔽效果明显。