用直流／射频反应磁控共溅射法分别在玻璃和单晶硅片基底上制备VOx薄膜和W掺杂VO。薄膜，经退火后，对薄膜进行电阻一温度特性、XRD、表面形貌等测试。结果表明：当溅射气压为1．5Pa、氧氩比为0-8：25sccm、V靶采用100W直流电源、W靶10W射频电源共溅射制备的w掺杂VO。薄膜，经Ar气氛中450℃退火2h后，薄膜相变温度由未掺杂时的68℃降低到40℃左右。XRD衍射结果表明部分W原子进入了VOx晶格；另外单晶硅片上制备的VOx薄膜的电阻温度系数和电阻值均大于玻璃基片上制备的薄膜。