利用射频磁控溅射法并经快速退火处理制备Cu₂SnS₃薄膜,研究了使用SnS₂、Cu₂S混合靶（摩尔比分别为1∶1、1∶1.5、1∶2）及在不同溅射功率（40和80W）条件下所制备Cu₂SnS₃薄膜的晶体结构、物相组成、化学组分、表面形貌和光学特性。结果表明:混合靶的SnS₂、Cu₂S最佳摩尔比为1∶1.5,利用该靶所制备薄膜均结晶;在溅射功率为80 W条件下,所制备薄膜结晶质量和择优取向度高,应变最小,Cu∶Sn∶S摩尔比为1.89∶1∶2.77,平均颗粒直径和平均粗糙度分别为332和0.742 nm,吸收系数达到10⁴cm^-1,禁带宽度为1.32 eV。制备了n-Si/p-CTS异质结器件,器件具有良好的整流特性和光电流响应特性。